Fejléc : JFET Alapjai: A záródás és a transzfógiás érték értelmezése
Csatolási Térfolyam Transzisztorok (JFET-k) a feszültség-vezérelt záródással működnek a kiesztetési régióban. Fontos paraméterek közé tartozik az IDSS (drain-forrás szättörési áram) és a gm (transzfógiás érték). A SACOH N-síkos és P-síkos JFET-eket kínál párosítva differenciálós amplifikátorokhoz.
Egy hangipari ügyfél 0,005%-os THD-t ért el a SACOH JFET-jeivel a mikrofon előkészítőjükben. Eszközöink laser-mérlegelt ellenállásokat tartalmaznak pontos torzításért.