トランジスタ技術の進化と将来の傾向
電子産業に革命をもたらしました 当初は 容積も高く効率も悪く 継続的な研究と革新により 小型化され 高性能な部品へと 進化しました
もっと見る
見出し mOSFET vs. IGBT: パワーエレクトロニクスのためのB2Bガイド
選択する際には モスフェットトランジスタ 強力に IGPTトランジスタ 電圧、電流、スイッチング周波数を考慮してください。MOSFETは低~中電圧アプリケーション(600Vまで)で高いスイッチング速度を発揮し、DC-DCコンバーターやモータードライブに最適です。一方、IGBTは高電圧(600V~1700V)と大電流を処理でき、産業用インバーターやEVトラクションシステムに適しています。
SACOHでは、お客様のアプリケーションに適したトランジスタを選定するお手伝いをします。当社のエンジニアが負荷プロファイルやスイッチング損失を分析し、効率を最適化します。例えば、あるソーラーインバーターメーカーは、SACOHのIGBTに切り替えることでシステムコストを15%削減しました。