トランジスタ技術の進化と将来の傾向
電子産業に革命をもたらしました 当初は 容積も高く効率も悪く 継続的な研究と革新により 小型化され 高性能な部品へと 進化しました
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見出し :MOSFET革新: ガンオンシリコンと48V自動車グレード
SACOHがリードする 金属オキシド半導体トランジスタ 革新には、10倍速いスイッチングを可能にするガンオンシリコンMOSFETや、マイルドハイブリッド車向けの48V自動車グレードデバイスが含まれます。当社のGaN MOSFETは、99%の効率を持つDC-DCコンバータを実現し、冷却要件を50%削減します。
EV分野の顧客は、SACOHの48V MOSFETを使用して充電時間を20%短縮しました。すべてのデバイスには、自動車用信頼性のAEC-Q101認証が付いています。