Tajuk : Inovasi MOSFET: GaN-on-Si dan Gred Automotif 48V
SACOH memimpin dalam transistor oksida logam inovasi, termasuk MOSFET GaN-on-Si untuk pemilihan yang 10 kali lebih pantas dan peranti gred automotif 48V untuk kenderaan hybrid ringan. MOSFET GaN kami membolehkan penyerap DC-DC dengan kecekapan 99%, mengurangkan keperluan penyejukan sebanyak 50%.
Seorang pelanggan dalam sektor EV mencapai masa cas yang 20% lebih pantas menggunakan MOSFET 48V SACOH. Semua peranti termasuk sijil AEC-Q101 untuk kebolehpercayaan automotif.