Заголовок : MOSFET vs. IGBT: Руководство B2B для силовой электроники
При выборе между Полевые транзисторы MOSFET и Транзисторы IGBT , следует учитывать напряжение, ток и частоту переключения. MOSFETы отлично подходят для приложений с низким и средним напряжением (до 600В) с высокой скоростью переключения, что делает их идеальными для преобразователей DC-DC и приводов двигателей. С другой стороны, IGBTы способны обрабатывать более высокие напряжения (600В–1700В) и токи, что делает их подходящими для промышленных инверторов и систем тяги ЭВ.
В SACOH мы помогаем клиентам B2B выбрать правильный транзистор для их приложений. Наши инженеры анализируют профили нагрузки и потери при переключении для оптимизации эффективности. Например, производитель солнечных инверторов снизил стоимость своей системы на 15%, перейдя на IGBTы от SACOH.